Jahrzehntelang waren eingebettete Systeme durch die Einschr\u00e4nkungen des Flash-Speichers eingeschr\u00e4nkt, was Ingenieure zu schwierigen Kompromissen bei der Datenverarbeitung und Leistung zwang. Das innovative embedded Board von MAS Elettronica mit Everspins hochmodernem MRAM-Speicher ver\u00e4ndert alles. MRAM kombiniert die rasante Geschwindigkeit des DDR4-RAM mit der Best\u00e4ndigkeit des Flash-Speichers und setzt damit neue Ma\u00dfst\u00e4be f\u00fcr Leistung und Flexibilit\u00e4t bei Embedded-L\u00f6sungen.<\/p>\n
Seit seiner Gr\u00fcndung im Jahr 2008 ist MAS Elettronica f\u00fchrend auf dem Markt f\u00fcr Embedded-L\u00f6sungen und entwickelt sich kontinuierlich weiter, um seinen Kunden die fortschrittlichsten und zuverl\u00e4ssigsten Produkte zu bieten. Im letzten Jahrzehnt hat das Unternehmen ein schnelles Wachstum erlebt und sich als vertrauensw\u00fcrdiger Partner f\u00fcr ma\u00dfgeschneiderte eingebettete Systeme etabliert.<\/p>\n
\u201eWir standen schon immer durch die Bereitstellung ma\u00dfgeschneiderter L\u00f6sungen hervor, indem wir die idealen Komponenten sorgf\u00e4ltig ausgew\u00e4hlt und integriert haben, um die spezifischen Anforderungen jedes Kunden zu erf\u00fcllen\u201c, sagte Sandro Mascetti von MAS Elettronica. \u201eUnsere Partnerschaften mit Branchenriesen wie Texas Instruments, Lattice Semiconductor, Arrow Electronics und NVIDIA erm\u00f6glichen es uns, innovative Technologien schneller als je zuvor auf den Markt zu bringen.\u201c<\/p>\n
Die neueste Ver\u00f6ffentlichung von MAS Elettronica, das MAS Educational Board, basiert auf einem Lattice CertusPro\u2122-NX-Prozessor, LPDDR4-Speicher und einer Everspin MRAM-Speicherkomponente. Dieses Board demonstriert die Vorteile von MRAM und kombiniert hohe Leistung mit persistentem Speicher. Der MRAM-Speicher liefert Lese-\/Schreibvorg\u00e4nge mit Geschwindigkeiten von bis zu 400 MBytes\/s und stellt gleichzeitig sicher, dass Daten nie verloren gehen \u2013 selbst bei Stromausf\u00e4llen. Die F\u00e4higkeit, um Gr\u00f6\u00dfenordnungen h\u00f6here Schreibgeschwindigkeiten als herk\u00f6mmlicher Flash-Speicher zu erreichen, macht das MAS Educational Board ideal f\u00fcr Anwendungen, die sowohl eine schnelle Datenaufzeichnung als auch eine zuverl\u00e4ssige Datenintegrit\u00e4t erfordern, wie z. B. Fahrzeugdiagnose und industrielle Datenerfassung.<\/p>\n
Da das Schreiben zudem keinen Verschlei\u00df verursacht, kann die MRAM-Komponente Daten kontinuierlich \u00fcberschreiben, ohne dass die Leistung nachl\u00e4sst, und bietet im Vergleich zum Flash-Speicher eine l\u00e4ngere Lebensdauer. Dies macht sie zum idealen Speicher, um einen rollierenden Puffer bereitzustellen, der immer die aktuellsten Daten anzeigt und die \u00e4ltesten Daten \u00fcberschreibt, wenn er voll ist.<\/p>\n
Die Vorteile von MRAM erstrecken sich auch auf den Herstellungs- und Programmierprozess. Traditionell ergibt die Flash-Programmierung \u00fcber JTAG Datenraten von etwa 266 kbit\/s, was etwa 8 Minuten erfordert, um ein 128-Mbit-Image auf Flash zu programmieren. Dies w\u00e4re auf den meisten Produktionslinien inakzeptabel und daher nur f\u00fcr die Programmierung kleiner Datenmengen praktikabel. XJTAG hat dieses Geschwindigkeitsproblem mit XJFlash gel\u00f6st, einem FPGA-basierten Programmiertool, das dieses Problem um eine Gr\u00f6\u00dfenordnung reduzieren kann und denselben Flash-Chip in weniger als einer Minute programmiert. Allerdings ist jetzt die Schreibgeschwindigkeit des Flash-Speichers der limitierende Faktor.<\/p>\n
Mit der Integration des MRAM-Speichers in die neue Platine von MAS Elettronica wurde der Programmierprozess dramatisch beschleunigt. Die \u00dcbertragungsgeschwindigkeit wird jetzt nur noch durch die Datenrate der JTAG-Schnittstelle begrenzt und erreicht in der Praxis Geschwindigkeiten von bis zu 32 Mbit\/s. Dies bedeutet, dass dieselben 128 Mbit Daten in nur vier Sekunden auf die Komponente geschrieben werden k\u00f6nnen, was eine weitere Verbesserung um eine Gr\u00f6\u00dfenordnung darstellt, und da MRAM vor dem Programmieren keinen L\u00f6schzyklus erfordert, bleibt diese Geschwindigkeit auch dann erhalten, wenn eine Komponente neu programmiert wird.<\/p>\n
\u201eDer Flash-Programmierprozess kann eine gro\u00dfe Einschr\u00e4nkung f\u00fcr die Produktion gro\u00dfer St\u00fcckzahlen sein\u201c, erkl\u00e4rte Sandro Mascetti. \u201eMit MRAM und XJFlash haben wir die Programmierzeiten auf einen Bruchteil der bisherigen Zeit reduziert, sodass unsere Kunden die Programmierung in ihre Testprozesse integrieren und Engp\u00e4sse reduzieren k\u00f6nnen.\u201c<\/p>\n
Zusammenfassend stellt die Verwendung der MRAM-Speichertechnologie von Everspin durch MAS Elettronica einen bedeutenden Sprung nach vorne auf dem Embedded-Markt dar und bietet beispiellose Geschwindigkeit, Zuverl\u00e4ssigkeit und Haltbarkeit. Indem diese L\u00f6sung die inh\u00e4renten Einschr\u00e4nkungen des Flash-Speichers behebt, ebnet sie den Weg f\u00fcr schnellere, effizientere Datenerfassungs- und Programmierprozesse und gew\u00e4hrleistet gleichzeitig die Datenintegrit\u00e4t selbst bei Stromausf\u00e4llen. Sandro Mascetti fasst zusammen: \u201eMit MRAM verbessern wir nicht nur die Leistung unserer Boards; wir revolutionieren die Art und Weise, wie Datenspeicherung und Programmierung in Embedded Systemen angegangen werden, und wir freuen uns darauf, die Grenzen des M\u00f6glichen weiter zu verschieben.\u201c<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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